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Entwickeln mit SiC MOSFETs der 4. Generation

Entwickeln mit SiC MOSFETs der 4. Generation

Leistungselektronik Entwickeln mit SiC MOSFETs der 4. Generation Die technischen Möglichkeiten der 4. Generation SiC MOSFETs von ROHM sowie die verfügbaren Supportwerkzeuge zeigt dieser Bericht. Damit können Leistungselektronikentwicklern effizientere und robustere Wandler entwickeln. (Bild: ROHM Seminductor GmbH) Im Jahr 2010 hat ROHM die ersten kommerziellen Siliziumkarbid (SiC) MOSFETs auf den Leistungshalbleiter-Markt gebracht. Seitdem...

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